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原位芯片
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    光刻工艺
    镀膜工艺
    刻蚀工艺
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    PI工艺
    PDMS工艺
    TSV通孔
    其他工艺
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    TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。原位芯片掌握TSV最新技术,能够帮助客户完成TSV个性化要求。

    技术应用


    TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一,目前已经广泛应用于MEMS器件,存储器,图像传感器,功率放大器,生物应用设备和多种手机芯片。

    工艺能力


     通孔直径: 20-30um  深宽比:10:1  通孔材料:铜,金  通孔状态:实心孔,空心孔

    我们的优势


     图形可定制  通孔良率高  可批量生产  工艺技术成熟

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