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原位芯片
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    微流控器件
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    TSV通孔产品
    高精度硅基掩膜版
    二维材料器件
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    二维材料是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度(1-100nm)上自由运动(平面运动)的材料,如纳米薄膜、超晶格、量子阱,目前二维材料已经成为各个国家的研究重点。原位芯片可以为客户提供二维材料的研究方案设计,器件制作和器件性能测试如场效应管,霍尔bar),原位芯片可以为客户提供二维材料器件的设计、制作及性能测试服务,同时也为客户提供高性能二维材料的制备如石墨烯、二硫化钼、二硫化钨、黑磷等

    二维材料器件


    二维材料有着丰富的物理性质与多样化的器件应用,可以被广泛地应用于光电探测器、光电子器件、存储器、逻辑运算元件、发光二极管以及激光器等各种领域。原位芯片为客户提供二维材料器件的设计,制造及测试服务。


    场效应管,霍尔Bar


    (场效应管在光学显微镜下的结构图)


    (FET 测试输出与转移曲线)

    二维材料的制备


    二维材料作为电学、光电学体系中单位元件的特性,具备与互补金属氧化半导体技术整合的能力在各个领域的被广泛研究。为助力科研,原位芯片可以为客户提供如下二维材料的制备。

    BP系列 BP系列
    BP块材(high quality,>500mg)
    b-AsxP1-x (0.2'<'x<0.9) 黑砷磷合金
    Se-doped BP 硒掺杂BP
    Te-doped BP 碲掺杂BP
    MPX3 系列 FePS3 铁磷硫
    FePSe3 铁磷硒
    NiPS3 镍磷硫
    NiPSe3 镍磷硒
    MnPS3 锰磷硫
    MnPSe3 锰磷硒
    CrPS4 铬磷硫
    TIs 拓扑绝 Bi2Se3 硒化铋
    Bi2Te3 碲化铋
    Sb2Te3 碲化锑
    三元窄带隙 Ta2NiS5
    Ta2NiSe5
    Ga 系 GaS 硫化镓
    GaSe 硒化镓
    V 系TMDs 1T-VS2 二硫化钒
    1T-VSe2 二硒化钒
    1T-VTe2 二碲化钒
    Ti 系TMDs 1T-TiS2 二硫化钛
    1T-TiSe2 二硒化钛
    1T-TiSxSe2-x
    Sn 系TMDs 2H-SnS2 二硫化锡
    2H-SnSe2 二硒化锡
    2H-SnSxSe2-x
    Ta 系TMDs 1T-TaS2 二硫化钽
    2H-TaSe2 二硒化钽
    2H-TaSxSe2-x


    (黑磷)

    我们的优势


     可以高精度定位离散二维材料二维材料从单层到多层  工艺涵盖从生长到测试全流程  定位精度可达2um  可制备多种二维材料



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